其中硅氧碳（SiO@C）采用控制含氧量/优化结构形貌为基础的“低锂耗”技术，结合碳包覆提升电子电导率、稳定化学/电化学反应界面、提升材料的结构稳定性，从而达到高首效、长循环的目的。该技术比“预锂化”技术更安全，更易加工，储存更方便，且成本更低。